米乐体育app官方:IMEC成功在200mm硅晶圆衬底上制出高质量GaN基MIS-HEMT器材
IMEC成功在200mm硅晶圆衬底上制出高质量GaN基MIS-HEMT器材
欧洲研讨机构IMEC与其协作伙伴最近成功在200mm规范硅衬底上制造出了高质量的GaN/AlGaN异质结构层，两边现在正协作研讨根据氮化镓资料的HEMT（High electron mobility transistor：高电子迁移率晶体管）异质结构晶体管技能。
这款根据GaN的MIS-HEMT(金属-绝缘层-半导体HEMT)在制造时使用了使用资料公司出产的MOCVD（金属有机物化学气相堆积）设备，不过大部分出产设备均是选用规范的惯例CMOS制造设备。
一般来说，功率管器材的欧姆触摸触点以及栅极是选用金资料制造，但是在根据GaN的HEMT中假如仍选用金资料制造这些结构则有必要选用特别的CMOS制程工艺。为了防止选用特别工艺，IMEC在制造GaN HEMT的欧姆触摸时，选用的对错金资料，一起将HEMT管子的肖特基型栅极改为非金金属-绝缘层-半导体结构（MIS）栅极.MIS栅极不只能够防止选用特别工艺，并且比较惯例HEMT器材（一般选用肖特基势垒栅极结构）其栅漏电电流也低得多（由于栅极不是与沟道直触摸摸，而是中心存在绝缘层）。
